Исследователям из лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского центра НБИКС-технологий впервые в мире удалось синтезировать монокристаллические эпитаксиальные пленки EuO непосредственно на кремнии и определить их структурные, электронные и магнитные свойства. Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в журнале Journal of Materials Chemistry C.
По словам руководителя лаборатории Вячеслава Сторчака, до недавнего времени последовательное улучшение характеристик и уменьшение стоимости приборов микроэлектроники достигалось в согласии с законом Мура. Количество транзисторов в интегральных схемах удваивалось каждые два года, пропорционально росла и рабочая частота.